Модуль оперативной памяти DDR4 объемом 128 гигабайт изготовлен по 20- нанометровому техпроцессу и построен на 8-гигабайтных чипах DDR4 с использованием технологии межслойных соединений Through-Silicon Via (TSV).

КОМПАНИЯ SK HYNIX ПРЕДСТАВИЛА ПЕРВЫЙ В МИРЕ МОДУЛЬ ОПЕРАТИВНОЙ ПАМЯТИ DDR4 ОБЪЕМОМ 128 ГИГАБАЙТ. МОДУЛЬ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ ПО 20-НАНОМЕТРОВОМУ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОМУ ПРОЦЕССУ, СОСТОИТ ИЗ 16 ЧИПОВ ПАМЯТИ DDR4, ОБЪЕМ КАЖДОГО ИЗ КОТОРЫХ СОСТАВЛЯЕТ 8 ГБ.

ДЛЯ РАБОТЫ МОДУЛЯ ПАМЯТИ НЕОБХОДИМО НАПРЯЖЕНИЕ 1,2 ВОЛЬТА, В ТО ВРЕМЯ КАК ДЛЯ DDR3 – 1,35 ВОЛЬТА. НОВИНКА ПОДДЕРЖИВАЕТ ЧАСТОТУ 2133 МГЦ ПО 64-БИТНОМУ ИНТЕРФЕЙСУ ВВОДА/ВЫВОДА. ПРОПУСКНАЯ СПОСОБНОСТЬ СОСТАВЛЯЕТ 17 ГБАЙТ/С.

ОЖИДАЕТСЯ, ЧТО КОГДА КОМПАНИИ INTEL И AMD ОБЕСПЕЧАТ ПОДДЕРЖКУ ПАМЯТИ DDR4 В СВОИХ МАТЕРИНСКИХ ПЛАТАХ, СКОРОСТЬ РАБОТЫ ЗНАЧИТЕЛЬНО УВЕЛИЧИТСЯ, А ЭНЕРГОПОТРЕБЛЕНИЕ СНИЗИТСЯ НА 20-40%.

ПРЕДПОЛАГАЕТСЯ, ЧТО СЕРВЕРНЫЕ ПРОЦЕССОРЫ С ПОДДЕРЖКОЙ МОДУЛЕЙ ПАМЯТИ DDR4 ПОЯВЯТСЯ В КОНЦЕ ТЕКУЩЕГО ГОДА, А ПЕРВЫЕ ПК С НОВЫМИ МАТЕРИНСКИМИ ПЛАТАМИ – В 2015 ГОДУ. ПО МНЕНИЮ ЖЕ ЭКСПЕРТОВ, ПЕРВЫЙ В МИРЕ МОДУЛЬ НА 128 ГБ ПОСТУПИТ В МАССОВОЕ ПРОИЗВОДСТВО В 2016 ГОДУ.